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体育游戏app平台先后攻克了大尺寸扩径工艺和低颓势N型衬底的助长工艺-开云 (集团) 官方网站 Kaiyun 登录入口

发布日期:2025-10-27 16:47    点击次数:141

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日前,山西烁科晶体有限公司顺利研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,属各人首发。同时,还研制顺利12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。 烁科晶体位于山西转型综改示范区潇河新兴产业园区,是国内从事第三代半导体材料碳化硅出产和研发的领军企业。连年来,该企业通过自主立异和自主研发,全面掌持了碳化硅助长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺体育游戏app平台,在国内最初完成高纯半绝缘碳化硅单晶衬底环节工艺时代攻关,先后攻克了大尺寸扩径工艺和低颓势N型衬底的助长工艺,领有碳化硅粉料制备、单

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日前,山西烁科晶体有限公司顺利研制出12英寸(300mm)高纯半绝缘碳化硅单晶衬底,属各人首发。同时,还研制顺利12英寸(300mm)N型碳化硅单晶衬底。

烁科晶体位于山西转型综改示范区潇河新兴产业园区,是国内从事第三代半导体材料碳化硅出产和研发的领军企业。连年来,该企业通过自主立异和自主研发,全面掌持了碳化硅助长装备制造、高纯碳化硅粉料制备工艺体育游戏app平台,在国内最初完成高纯半绝缘碳化硅单晶衬底环节工艺时代攻关,先后攻克了大尺寸扩径工艺和低颓势N型衬底的助长工艺,领有碳化硅粉料制备、单晶助长、晶片加工等整套出产线。这次12英寸碳化硅单晶衬底的顺利研制,大概进一步扩大单片晶圆上可用于芯片制造的面积,大幅擢升及格芯片产量。在同等出产条目下,权臣擢升产量,裁汰单元本钱,进一步擢升经济效益,为碳化硅材料的更大限制行使提供可能。

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